Nasca plus系列感应耦合等离子刻蚀系统充分利用了高密度等离子体刻蚀速率快，各向异性刻蚀均匀性好的特点。能提供更多的制程方法和稳定的高密度等离子体生产，支持直径从2英寸到8英寸的晶片刻蚀。增加了终点探测器，加强了对刻蚀过程的控制。

应用：

(1)  刻蚀超大规模用硅薄膜

(2)  刻蚀金属薄膜

(3)  刻蚀GaAs,GaN,InP和其他复合半导体薄膜

(4)  MEMS中硅深刻蚀

(5)  波导器件的生产